MEMSベクトルハイドロフォンのクロスビーム感応構造ポストCMOSリリース法

memsベクトルハイドロフォンのクロスビーム感応構造後のCMOSリリース方法

技術分野

本発明は、半導体の分野に関し、特に、窒化シリコンの側壁保護およびシリコンの異方性腐食剥離感受性構造、特に、メムスベクトルハイドロフォンに向けられたクロスビーム感受性構造の後のＣＭＯＳ剥離方法に関する。

背景技術:

2. memsベクトルハイドロフォンは、水中粒子の振動速度などのベクトル情報を検出することができ、ソナーシステム、水中無人潜水艇、空中投下ソナーブイなどの水中検出プラットフォームに適用でき、その性能は大きな注目を集めています. cmos によって統合された mems ベクトル ハイドロフォンは、ベクトル ハイドロフォンの性能を大幅に向上させることができ、開発の見通しは良好です。

3. cmos インテグレーション方式における Post-CMOS インテグレーションは、現在注目されている研究テーマです。 このスキームでは、cmos との互換性を前提として、どのように mems プロセスを使用して構造リリースを完了するかが大きな課題です。 従来のmemsプロセスでは、フォトリソグラフィーを使用してマスクパターンをシリコンウェーハに転写します。memsプロセスのフォトリソグラフィー精度はcmosプロセスほど良くないことが多く、フォトリソグラフィーステップは生産効率を低下させ、生産コストを増加させます. チップの量産化を実現するためにも検討が必要な問題です。

４．この問題を解決するために、ｍｅｍｓベクトルハイドロフォンの敏感な構造に基づいて、本発明は、リソグラフィを必要とせず、ｃｍｏｓと互換性のあるｃｍｏｓ後のｍｅｍｓ解放方法を設計する。

お問い合わせ：

Email: zhang@pride-cnc.com

電話番号: プラス 86-755-23699351

モブ: プラス 8618666663894