横型複合誘電体膜に基づく一種のMEMSマイクロホットプレートとその製造方法

横型複合誘電体膜とその製造方法に基づく一種のMEMSマイクロホットプレート

技術分野

本発明は、メモリの技術分野に関し、特に、横型複合誘電体フィルムに基づくメモリマイクロホットプレートおよびその製造方法に関する。

背景技術:

2. メムスプロセスに基づくマイクロホットプレートは、小型化、低消費電力、高速熱応答、および容易な統合という利点があることが証明されており、マイクロガスセンサー、マイクロガス流量計、赤外線エミッターで広く使用されています。 、およびマイクロ温度計。 例えば、マイクロホットプレートをマイクロガスセンサーに使用する場合、マイクロガスセンサーの性能は、その動作温度と機械的安定性の影響を受けます。 通常、マイクロガスセンサーに使用されるマイクロホットプレートは、150度から400度の均一な温度を提供する必要があります.マイクロホットプレートの機械的安定性は、マイクロホットプレートの加熱速度が速いことを必要とします.そして均等に分配されます。 モバイル機器に組み込むために、マイクロホットプレートは、消費電力を可能な限り削減し、適切な温度を提供すると同時に、良好な温度均一性、機械的特性、および加熱速度を維持する必要があり、マイクロホットプレート研究の分野で注目されています。

3. 現在の mems プレーナ マイクロ ホット プレートは、一般に、sio2、si3n4 または sio2、si3n4 膜を垂直方向に組み合わせて使用​​し、支持層と誘電体層を形成します。 しかし、sio2素材のみを使用したマイクロホットプレートは熱伝導率が低いため、熱損失が大きくなりやすく、高温熱変形を引き起こしやすい。 si3n4 材料のみを使用したマイクロホット プレートは、高温の熱変形を緩和し、加熱速度を高めることができますが、熱伝導率が高い sio2 および si3n4 の特性により、横方向の熱損失が増加し、ホット プレートの変形が起こります。垂直方向に結合された sio2 および si3n4 膜で構成される熱損失は減少しますが、横方向の熱損失は依然として存在します。 これらの要因により、吊り橋型マイクロホットプレートよりも平面型マイクロホットプレートの方が熱伝導損失が大きくなり、消費電力が高くなります。 しかし、吊り橋型マイクロホットプレートの深刻な問題は、変形が大きく、損傷しやすく、後段の他のプロセスとの互換性がないため、このタイプのマイクロホットプレートに基づくデバイス製造の歩留まりが低く、安定性と信頼性が低いことです。 -ホットプレート。

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